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首頁-成功案例-26年3月26日,三重四極桿ICP-MS 8800在江蘇為半導體行業(yè)檢測高純材料和制程中超痕量污染物

26年3月26日,三重四極桿ICP-MS 8800在江蘇為半導體行業(yè)檢測高純材料和制程中超痕量污染物

發(fā)布時間:2026-3-27

合作伙伴:蘇州大型半導體化工企業(yè)

儀器類型:三重四極桿電感耦合等離子體質譜儀

品牌:安捷倫

型號:ICP-MS 8800


2026326日,喜報|蘇州大型半導體化工企業(yè),安捷倫三重四極桿ICP-MS 8800,安裝調試&用戶培訓圓滿完成,正式投入使用!聚焦半導體高

譜標科技以專業(yè)方案+高效交付,為半導體行業(yè)品質管控保駕護航!感謝客戶的支持與認可,攜手共筑行業(yè)高標準!


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安捷倫8800三重四極桿ICP-MS(ICP-QQQ/MS)相較于上一代7800單四極桿型號,其核心優(yōu)勢在于革命性的MS/MS模式。它通過在主四極桿

(Q1)和反應池之間增加一個額外的四極桿質量過濾器,實現(xiàn)了對進入反應池離子的精準篩選,從而消除了傳統(tǒng)ICP-MS難以解決的質譜干

擾問題。這使得8800成為半導體行業(yè)檢測高純材料和制程中超痕量污染物的“金標準”儀器。


以下是其在您聚焦領域的核心檢測優(yōu)勢:


?? 核心技術優(yōu)勢:MS/MS模式實現(xiàn)“精準干擾消除”

這是8800區(qū)別于所有單四極桿ICP-MS(包括7800)的根本所在。


原理:Q1只允許目標分析物的特定質荷比離子進入反應池,而等離子體中的其他所有干擾離子(如基質離子、氬氣離子)都被擋在池外。


優(yōu)勢:在反應池內(nèi),反應氣只需與選定的目標離子反應,反應過程高度可控、效率高,且不會產(chǎn)生新的干擾離子。而在單四極桿模式下,

反應池中所有離子都會與反應氣反應,可能生成新的干擾物(例如,用氧氣消除ArCl?對As?的干擾時,可能生成新的TiO?干擾Cu?)。


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??? 半導體專用硬件配置

為了勝任高純材料檢測,8800配備了專門的進樣系統(tǒng)和耐高基體設計(如#200半導體配置選項),確保在極低濃度下也能獲得穩(wěn)定、無污染

的信號。


核心配置說明與優(yōu)勢

PFA微流霧化器流速低(如200 μL/min),樣品消耗量小,信號穩(wěn)定性高,污染風險低。

耐腐蝕進樣系統(tǒng)包括帶冷卻功能的霧化室和石英炬管,可耐受氫fu酸(HF)和有機溶劑,兼容性強。

鉑尖接口錐具有優(yōu)異的耐腐蝕性和耐磨損性,適合長時間分析高活性樣品。

?? 核心應用場景:高純材料與制程污染精準檢測

基于上述技術優(yōu)勢,8800在以下半導體關鍵檢測場景中表現(xiàn)良好:


高純制程化學品分析


樣品:超純水、IPA、NMP、PGMEA、TMAH、過氧hua氫、鹽酸、硫酸等。

檢測能力:可直接分析未經(jīng)稀釋的有機溶劑,避免稀釋帶來的污染風險。例如,在異丙醇(IPA)中,對SEMI標準規(guī)定的22種元素的檢出限

(DLs)和背景等效濃度(BECs)遠低于100 ppt的4級標準要求,許多元素甚至低于0.1 ppt。對于超純水中的鈣(Ca),背景等效濃度可低

至100 ppq(千萬億分之一)。

非金屬雜質:特別擅長檢測傳統(tǒng)方法極難測定的硫(S)、磷(P)、硅(Si)、氯(Cl) 等非金屬元素,通過質量轉移(如P?→PO?)等方法

實現(xiàn)低ppb級別的檢測。


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高純硅及其基質分析


挑戰(zhàn):硅基質在等離子體中會形成大量的多原子離子干擾(如3?SiH?干擾31P?, 2?Si1?O1?F?干擾?3Cu?),導致單四極桿ICP-MS無法準確定量。

解決方案:利用MS/MS模式,Q1排除所有非目標離子,結合合適的反應池氣體(如O?、H?、NH?),可以消除硅基干擾,準確測定磷(P)、鈦(Ti)、銅(Cu) 等關鍵雜質。


VPD晶圓表面污染分析


樣品:通過氣相分解法(VPD)收集的晶圓表面污染物溶液,其中含有高濃度的硅(Si)。

檢測能力:在高硅基體(幾到幾十ppm)存在下,依然可以準確定量晶圓表面亞pg級別的金屬污染物,確保制程潔凈度。


納米顆粒(NPs)污染監(jiān)測


樣品:制程化學品中的金屬納米顆粒(如Fe?O?、Ag、Al?O?、SiO?)。

檢測能力:可通過單顆粒ICP-MS/MS(spICP-MS)模式,在單次分析中同時測定溶解態(tài)雜質和納米顆粒的濃度、粒徑分布。例如,在IPA中可

檢測濃度低至0.1–2 ppt的25 nm Fe納米顆粒。


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?? 總結:為何8800是半導體檢測的優(yōu)選

相比于7800或其他單四極桿ICP-MS,8800的核心優(yōu)勢在于解決復雜基質中的超痕量、高干擾元素的檢測難題。在半導體行業(yè)追求越來越小線寬

(如3nm及以下)的今天,對原材料和制程中金屬及非金屬雜質的控制要求已從ppt級邁向亞ppt甚至ppq級,同時還要面對高硅、有機等復雜基

質的干擾。安捷倫8800正是為此而生,其MS/MS模式帶來的強大干擾消除能力,確保了檢測結果的高準確性、高可靠性和高穩(wěn)定性,是保障芯

片良率的“火眼金睛”。



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